دانلود تحقیق پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT

۱۳۹۵/۰۱/۱۸
نويسنده:

دانلود تحقیق پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT

فرمت فایل پاورپوینت (قابل ویرایش)
حجم فایل ۱۴۵۴ کیلو بایت
تعداد صفحات فایل ۴۹

دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT

مقدمه
ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی می‌باشد. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و نوع P می‌باشد.ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می‌دهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها می‌شود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد.
لغت «ترانزیستور» به نوع اتصال نقطه‌ای آن اشاره دارد، اما انی سمبل قدیمی با سمبل‌هایی را کردند که اختلاف ساختار ترانزیستور دوقطبی را به صورت دقیقتر نشان می‌داد، اما این ایده خیلی زود رها شد.
در مدارهای آنالوگ، ترانزیستورها در تقویت کننده‌ها استفاده می‌شوند، (تقویت کننده‌های جریان مستقیم، تقویت کننده‌های صدا، تقویت کننده‌های امواج رادیویی) و منابع تغذیه تنظیم شده خطی. همچنین از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در مدارات مجتمع یکپارچه بکار می‌روند. مداراهای دیجیتال شامل گیت‌های منطقی، حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، میکروپروسسورها و پردازنده‌های سیگنال دیجیتال (DSPs) هستند.
ترانزیستور می‌تواند به عنوان سوییچ نیز کار کند. ترانزستور سه پایه دارد.

ساختمان ترانزیستور

BJT از اتصال سه لایه بلور نیمه هادی تشکیل می‌شود. لایه وسطی بیس(base)، و دو لایه جانبی، یکی امیتر(emitter) و دیگری کلکتور(collector) نام دارد. نوع بلور بیس، با نوع بلورهای امیتر و کلکتور متفاوت است.معمولاً میزان ناخالصی در امیتر بیشتر از دو لایه دیگر وهمچنین عرض لایه بیس کمتر و عرض لایه کلکتور بیشتر از لایه های دیگر است.دریک ترانزیستور دوقطبی، لایه امیتر یا گسیلنده بیشترین مقدار ناخالصی را دارد. که الکترونها از امیتر به سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، گسیل داده می شود.
کلمات کلیدی:
ترانزیستور

ترانزیستور BJT

BJT

تقویت کننده‌ها

مداراهای دیجیتال

امیتر(emitter) و کلکتور(collector)

فهرست
مقدمه
ساختار ترانزیستور BJT
یک ترانزیستور BJT از نوع npn از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود:
ساختار ترانزیستور BJT
یک ترانزیستور BJT از نوع pnp از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود:
طرز کار ترانزیستور npn درناحیه فعال
عبور جریان
جریان کلکتور
جریان بیس
جریان امیتر
مدل ترانزیستور در ناحیه فعال
علائم مداری
نمایش گرافیکی مشخصه ترانزیستور
رابطه جریان و ولتاژ کلکتور
رابطه جریان و ولتاژ VCE
مدار معادل ترانزیستور در آرایش امیتر مشترک
نواحی کاری ترانزیستور
ترانزیستور در ناحیه قطع
ترانزیستور در ناحیه اشباع
اشباع ترانزیستور
ترانزیستور BJT بعنوان تقویت کننده
بایاس DCتقویت کننده امیتر مشترک
گین تقویت کننده
نمایش گرافیکی اعمال سیگنال کوچک
ترانزیستور BJT بعنوان سوئیچ
مثال ۱
مراحل آنالیز DCترانزیستور
مثال ۲
برای آنالیزDC مدار
ادامه مثال ۲
مثال ۳
 بیس-امیتر
مثال ۴
ادامه مثال ۴ : معادل تونن
مثال ۵
شباهتهای BJT و CMOS

دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT

پشتیبانی

Link: http://www.getf.ir/?p=13337

بروز رساني: ۱۳۹۸/۰۱/۲۹ در ۱:۲۷ ب.ظ

دیدگاهتان را بنویسید